- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/20 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet gazeux à la température normale de fonctionnement du dispositif
Détention brevets de la classe H01L 23/20
Brevets de cette classe: 98
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Global Circuit Innovations Incorporated | 21 |
6 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
5 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
5 |
| Qorvo US, Inc. | 2018 |
4 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
3 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
3 |
| Qualcomm Incorporated | 76576 |
2 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
2 |
| Hewlett-Packard Development Company, L.P. | 28538 |
2 |
| Seiko Epson Corporation | 18724 |
2 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
2 |
| Northrop Grumman Systems Corporation | 2940 |
2 |
| Analog Devices, Inc. | 3475 |
2 |
| Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | 1546 |
2 |
| Frampton E. Ellis | 9 |
2 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
2 |
| Spatial Photonics, Inc. | 43 |
2 |
| Invensas Bonding Technologies, Inc. | 150 |
2 |
| Analog Devices International Unlimited Company | 1724 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
1 |
| Autres propriétaires | 45 |